BSS138 RFG
Numéro de produit du fabricant:

BSS138 RFG

Product Overview

Fabricant:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BSS138 RFG-DG

Description:

50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW
Description détaillée:
N-Channel 50 V 260mA (Ta) 357mW (Ta) Surface Mount SOT-23

Inventaire:

56056 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12989122
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SOUMETTRE

BSS138 RFG Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
50 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
260mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.5Ohm @ 260mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
32 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
357mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
1801-BSS138TR
1801-BSS138RFGCT
1801-BSS138RFGTR
1801-BSS138CT-DG
1801-BSS138CT
1801-BSS138TR-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
goford-semiconductor

GT105N10K

MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252

epc

EPC2306

TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN

littelfuse

LSIC1MO170E0750

SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3

infineon-technologies

IMT65R039M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET